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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FQI12N60CTU

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Immagine FQI12N60CTU.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQI12N60CTU

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Specifiche

Modello di prodotti

FQI12N60CTU
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FQI12N60CTU.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

I2PAK (TO-262)
Serie

QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs

650 mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

3.13W (Ta), 225W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2290pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

600V
Descrizione dettagliata

N-Channel 600V 12A (Tc) 3.13W (Ta), 225W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

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