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Casa > Centro di prodotti > Isolatori > Optoisolatori-Transistor, uscita fotovoltaica > H11G1SR2VM
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4034155Immagine H11G1SR2VM.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

H11G1SR2VM

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    H11G1SR2VM
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    H11G1SR2VM.pdf
  • Tensione - uscita (max)
    100V
  • Tensione - Isolamento
    4170Vrms
  • Tensione - Forward (Vf) (Typ)
    1.3V
  • Vce saturazione (max)
    1V
  • Accensione / spegnimento (Typ)
    5µs, 100µs
  • Contenitore dispositivo fornitore
    6-SMD
  • Serie
    -
  • Tempo di salita / scadenza (Typ)
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    6-SMD, Gull Wing
  • Tipo di uscita
    Darlington with Base
  • Altri nomi
    H11G1SR2VM-ND
    H11G1SR2VMTR
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 100°C
  • Numero di canali
    1
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    9 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    DC
  • Descrizione dettagliata
    Optoisolator Darlington with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-SMD
  • Rapporto trasferimento corrente (min)
    1000% @ 10mA
  • Rapporto trasferimento corrente (max)
    -
  • Corrente - Uscita / Canale
    -
  • Corrente - DC Forward (If) (Max)
    60mA

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H11G2300

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Descrizione: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

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H11G1TVM

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Descrizione: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

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H11G2M

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H11G2M_F132

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H11G1S

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H11G13SD

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H11G1

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H11G1300W

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H11G1W

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H11G1SM

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H11G2S

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H11G1M

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H11G23SD

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H11G2

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H11G1300

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H11G1SR2M

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H11G1SD

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H11G13S

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