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Casa > Centro di prodotti > Isolatori > Optoisolatori-Transistor, uscita fotovoltaica > H11G2M

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Immagine H11G2M.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

H11G2M

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Specifiche

Modello di prodotti

H11G2M
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

H11G2M.pdf
Tensione - uscita (max)

80V
Tensione - Isolamento

4170Vrms
Tensione - Forward (Vf) (Typ)

1.3V
Vce saturazione (max)

1V
Accensione / spegnimento (Typ)

5µs, 100µs
Contenitore dispositivo fornitore

6-DIP
Serie

-
Tempo di salita / scadenza (Typ)

-
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

6-DIP (0.300", 7.62mm)
Tipo di uscita

Darlington with Base
temperatura di esercizio

-40°C ~ 100°C
Numero di canali

1
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

9 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso

DC
Descrizione dettagliata

Optoisolator Darlington with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-DIP
Rapporto trasferimento corrente (min)

1000% @ 10mA
Rapporto trasferimento corrente (max)

-
Corrente - Uscita / Canale

-
Corrente - DC Forward (If) (Max)

60mA

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