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HUF76013D3ST

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    HUF76013D3ST
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 20V 20A DPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    HUF76013D3ST.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-252AA
  • Serie
    UltraFET™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    22 mOhm @ 20A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    50W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    624pF @ 20V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    17nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 20V 20A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

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