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1215620Immagine HUFA75307T3ST.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

HUFA75307T3ST

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    HUFA75307T3ST
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223-4
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.HUFA75307T3ST.pdf
    2.HUFA75307T3ST.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-223-4
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    90 mOhm @ 2.6A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1.1W (Ta)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    TO-261-4, TO-261AA
  • Altri nomi
    HUFA75307T3STCT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    20 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    250pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    17nC @ 20V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    55V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 55V 2.6A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    2.6A (Ta)

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