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AMI Semiconductor / ON Semiconductor

HUFA76409D3

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Specifiche

Modello di prodotti

HUFA76409D3
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

HUFA76409D3.pdf
Vgs (th) (max) a Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-251AA
Serie

UltraFET™
Rds On (max) a Id, Vgs

63 mOhm @ 18A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

49W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

485pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

N-Channel 60V 18A (Tc) 49W (Tc) Through Hole TO-251AA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Tc)

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