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5726062Immagine HUFA76413DK8T-F085.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

HUFA76413DK8T-F085

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    HUFA76413DK8T-F085
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SO
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    49 mOhm @ 5.1A, 10V
  • Potenza - Max
    2.5W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    HUFA76413DK8T_F085
    HUFA76413DK8T_F085-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    620pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.1A 2.5W Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    5.1A
HUFA76419S3ST

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Descrizione: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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HUFA76413D3ST

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Descrizione: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

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Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO

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Descrizione: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

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Descrizione: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK

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Descrizione: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

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Descrizione: MOSFET N-CH 60V 23A TO-220AB

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Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC

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Descrizione: MOSFET N-CH 60V 29A TO-220AB

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