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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzato > IMD10AMT1G
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6616123Immagine IMD10AMT1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

IMD10AMT1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IMD10AMT1G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN/PNP PREBIAS SC74R
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IMD10AMT1G.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 1mA, 10mA
  • Tipo transistor
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SC-74R
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    13 kOhms, 130 Ohms
  • Potenza - Max
    285mW
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Altri nomi
    IMD10AMT1GOSCT
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    9 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 500mA 285mW Surface Mount SC-74R
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    500mA

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