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81321Immagine IMD16AT108.LAPIS Semiconductor

IMD16AT108

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IMD16AT108
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.IMD16AT108.pdf
    2.IMD16AT108.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA
  • Tipo transistor
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SMT6
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    22 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    100 kOhms, 2.2 kOhms
  • Potenza - Max
    300mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-74, SOT-457
  • Altri nomi
    IMD16AT108-ND
    IMD16AT108TR
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    250MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    -
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA, 500mA
  • Numero di parte base
    MD16A

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