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4955566Immagine KSH112ITU.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

KSH112ITU

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    KSH112ITU
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN DARL 100V 2A I-PAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    KSH112ITU.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    100V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    3V @ 40mA, 4A
  • Tipo transistor
    NPN - Darlington
  • Contenitore dispositivo fornitore
    I-PAK
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    1.75W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    25MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Through Hole I-PAK
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    1000 @ 2A, 3V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    20µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    2A
  • Numero di parte base
    KSH112

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