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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > MCH6353-TL-W

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Immagine MCH6353-TL-W.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MCH6353-TL-W

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Specifiche

Modello di prodotti

MCH6353-TL-W
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET P-CH 12V 5.5A MCPH6
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

MCH6353-TL-W.pdf
Vgs (th) (max) a Id

-
Vgs (Max)

±10V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

6-MCPH
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

35 mOhm @ 3A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)

1.4W (Ta)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

6-SMD, Flat Leads
Altri nomi

MCH6353-TL-W-ND
MCH6353-TL-WOSTR
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

13 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1250pF @ 6V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)

12V
Descrizione dettagliata

P-Channel 12V 6A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MCPH
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta)

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