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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > MJD3055T4G
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3252775Immagine MJD3055T4G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJD3055T4G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MJD3055T4G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 60V 10A DPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MJD3055T4G.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    60V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    8V @ 3.3A, 10A
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DPAK
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    1.75W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Altri nomi
    MJD3055T4GOS
    MJD3055T4GOS-ND
    MJD3055T4GOSTR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    19 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    2MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 10A 2MHz 1.75W Surface Mount DPAK
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    20 @ 4A, 4V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    50µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    10A
  • Numero di parte base
    MJD3055

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