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157191Immagine MJD45H11G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJD45H11G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MJD45H11G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PNP 80V 8A DPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MJD45H11G.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    80V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1V @ 400mA, 8A
  • Tipo transistor
    PNP
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DPAK
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    1.75W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Altri nomi
    MJD45H11G-ND
    MJD45H11GOS
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    6 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    90MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 8A 90MHz 1.75W Surface Mount DPAK
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    40 @ 4A, 1V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    8A
  • Numero di parte base
    MJD45H11

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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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