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4855584Immagine MJE3055T.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJE3055T

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MJE3055T
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 60V 10A TO220AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    MJE3055T.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    60V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    8V @ 3.3A, 10A
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220AB
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    75W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • Altri nomi
    MJE3055TOS
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenza - transizione
    2MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 10A 2MHz 75W Through Hole TO-220AB
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    20 @ 4A, 4V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    700µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    10A
  • Numero di parte base
    MJE3055

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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: TRANS PNP 60V 10A TO220AB

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Descrizione: TRANS NPN DARL 100V 2A TO225AA

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: TRANS NPN 60V 10A TO-220

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: TRANS NPN 60V 10A TO220AB

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