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3696399Immagine MJE3439G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJE3439G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MJE3439G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 350V 0.3A TO225AA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MJE3439G.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    350V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    500mV @ 4mA, 50mA
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-225AA
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    15W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-225AA, TO-126-3
  • Altri nomi
    MJE3439GOS
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    2 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    15MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 300mA 15MHz 15W Through Hole TO-225AA
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    15 @ 20mA, 10V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    20µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    300mA

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