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3751740Immagine MJE802G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJE802G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MJE802G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MJE802G.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    80V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    2.5V @ 30mA, 1.5A
  • Tipo transistor
    NPN - Darlington
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-225AA
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    40W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-225AA, TO-126-3
  • Altri nomi
    MJE802GOS
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    2 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 4A 40W Through Hole TO-225AA
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    750 @ 1.5A, 3V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    4A
  • Numero di parte base
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