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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > MJH6284G
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4572844Immagine MJH6284G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJH6284G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MJH6284G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN DARL 100V 20A TO247
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MJH6284G.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    100V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    3V @ 200mA, 20A
  • Tipo transistor
    NPN - Darlington
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    160W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • Altri nomi
    MJH6284GOS
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    27 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    4MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 20A 4MHz 160W Through Hole TO-247
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    750 @ 10A, 3V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1mA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    20A

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Descrizione: DIODE

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Descrizione: TRANS NPN 60V 20A TO3

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: TRANS PNP DARL 100V 20A TO247

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: TRANS PNP DARL 150V 15A TO247

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
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