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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > MMBT2222LT3
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6894650Immagine MMBT2222LT3.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MMBT2222LT3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MMBT2222LT3
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 30V 0.6A SOT-23
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    MMBT2222LT3.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    30V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1.6V @ 50mA, 500mA
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    300mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenza - transizione
    250MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 600mA 250MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    100 @ 150mA, 10V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    10nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    600mA
  • Numero di parte base
    MMBT2222

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Descrizione: TRANS NPN 30V 0.6A SOT-23

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: TRANS NPN 30V 0.6A SOT23

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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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