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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-RF > MMBT5179
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MMBT5179

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MMBT5179
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANSISTOR RF NPN SOT-23
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.MMBT5179.pdf
    2.MMBT5179.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    12V
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    225mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    MMBT5179TR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Di rumore (dB tip @ f)
    5dB @ 200MHz
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    42 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Guadagno
    15dB
  • Frequenza - transizione
    2GHz
  • Descrizione dettagliata
    RF Transistor NPN 12V 50mA 2GHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    25 @ 3mA, 1V
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    50mA
  • Numero di parte base
    MMBT5179

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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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