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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > MMUN2212LT1G

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Immagine MMUN2212LT1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MMUN2212LT1G

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Specifiche

Modello di prodotti

MMUN2212LT1G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

MMUN2212LT1G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor

NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

-
Resistor - Emitter Base (R2)

22 kOhms
Resistor - Base (R1)

22 kOhms
Potenza - Max

246mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi

MMUN2212LT1GOS
MMUN2212LT1GOS-ND
MMUN2212LT1GOSTR
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

36 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max)

500nA
Corrente - collettore (Ic) (max)

100mA
Numero di parte base

MMUN22**L

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