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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-RF > MSC2295-BT1G
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6582206Immagine MSC2295-BT1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MSC2295-BT1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MSC2295-BT1G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN RF BIPO 20V SC-59
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MSC2295-BT1G.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    20V
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SC-59
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    200mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Di rumore (dB tip @ f)
    -
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Guadagno
    -
  • Frequenza - transizione
    150MHz
  • Descrizione dettagliata
    RF Transistor NPN 20V 30mA 150MHz 200mW Surface Mount SC-59
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    70 @ 1mA, 10V
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    30mA

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