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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > MSC2712GT1G
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3839083Immagine MSC2712GT1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MSC2712GT1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MSC2712GT1G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 50V 0.1A SC59
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MSC2712GT1G.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    500mV @ 10mA, 100mA
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SC-59
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    200mW
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    MSC2712GT1GOSCT
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    16 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    50MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 50MHz 200mW Surface Mount SC-59
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    200 @ 2mA, 6V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA
  • Numero di parte base
    MSC2712

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