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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > MSD1819A-RT1G
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6258354Immagine MSD1819A-RT1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MSD1819A-RT1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MSD1819A-RT1G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 50V 0.1A SOT-323
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MSD1819A-RT1G.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    500mV @ 10mA, 100mA
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SC-70-3 (SOT323)
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    150mW
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    SC-70, SOT-323
  • Altri nomi
    MSD1819A-RT1GOSCT
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    21 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    210 @ 2mA, 10V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA
  • Numero di parte base
    MSD1819A

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Produttori: Microsemi
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