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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > MUN2111T1

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MUN2111T1

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Specifiche

Modello di prodotti

MUN2111T1
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

MUN2111T1.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor

PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore

SC-59
Serie

-
Resistor - Emitter Base (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Potenza - Max

230mW
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi

MUN2111T1OSCT
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descrizione dettagliata

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-59
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max)

500nA
Corrente - collettore (Ic) (max)

100mA
Numero di parte base

MUN2111

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