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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > MUN2215T1G

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Immagine MUN2215T1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MUN2215T1G

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Specifiche

Modello di prodotti

MUN2215T1G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

MUN2215T1G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor

NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore

SC-59
Serie

-
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Potenza - Max

338mW
imballaggio

Original-Reel®
Contenitore / involucro

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi

MUN2215T1GOSDKR
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

2 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 338mW Surface Mount SC-59
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max)

500nA
Corrente - collettore (Ic) (max)

100mA

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