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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzato > MUN5113DW1T1G

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Immagine MUN5113DW1T1G.

ON Semiconductor

MUN5113DW1T1G

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Specifiche

Modello di prodotti

MUN5113DW1T1G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

MUN5113DW1T1G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

100mA
Tensione - Ripartizione

SC-88/SC70-6/SOT-363
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

50V
Serie

-
Stato RoHS

Digi-Reel®
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm)

47k
Resistenza - Base (R1) (ohm)

-
Potenza - Max

250mW
Polarizzazione

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi

MUN5113DW1T1GOSDKR
Di rumore (dB tip @ f)

47k
Tipo montaggio

Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

10 Weeks
codice articolo del costruttore

MUN5113DW1T1G
Frequenza - transizione

80 @ 5mA, 10V
Descrizione espansione

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Descrizione

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

500nA
Corrente - Cutoff collettore (max)

250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - collettore (Ic) (max)

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

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