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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > MUN5133T1G

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Immagine MUN5133T1G.

ON Semiconductor

MUN5133T1G

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Specifiche

Modello di prodotti

MUN5133T1G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

MUN5133T1G.pdf
Modello ECAD
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

100mA
Tensione - Ripartizione

SC-70-3 (SOT323)
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

50V
Serie

-
Stato RoHS

Cut Tape (CT)
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm)

4.7k
Resistenza - Base (R1) (ohm)

-
Potenza - Max

202mW
Polarizzazione

SC-70, SOT-323
Altri nomi

MUN5133T1GOSCT
Di rumore (dB tip @ f)

47k
Tipo montaggio

Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

26 Weeks
codice articolo del costruttore

MUN5133T1G
Frequenza - transizione

80 @ 5mA, 10V
Descrizione espansione

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Descrizione

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

500nA
Corrente - Cutoff collettore (max)

250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - collettore (Ic) (max)

PNP - Pre-Biased

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