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3434731Immagine MUN5212DW1T1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MUN5212DW1T1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MUN5212DW1T1G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MUN5212DW1T1G.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Tipo transistor
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    22 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    22 kOhms
  • Potenza - Max
    250mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Altri nomi
    MUN5212DW1T1G-ND
    MUN5212DW1T1GOSTR
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    40 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    60 @ 5mA, 10V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA
  • Numero di parte base
    MUN52**DW1T

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