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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > PMIC-Gate driver > NCP5183DR2G
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NCP5183DR2G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NCP5183DR2G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRIVER HI/LO 600V 8SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NCP5183DR2G.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione di alimentazione -
    9 V ~ 18 V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SOIC
  • Serie
    -
  • Tempo di salita / scadenza (Typ)
    12ns, 12ns
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    NCP5183DR2GOSTR
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • Frequenza di ingresso
    2
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    26 Weeks
  • Tensione logica - VIL, VIH
    1.2V, 2.5V
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Non-Inverting
  • Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap)
    600V
  • Tipo di porta
    N-Channel MOSFET
  • Configurazione guidata
    Half-Bridge
  • Descrizione dettagliata
    Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  • Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore)
    4.3A, 4.3A
  • Base-Emitter Tensione di saturazione (max)
    Independent

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