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NCV5104DR2G

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Specifiche

Modello di prodotti

NCV5104DR2G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

IC MOSFET DRIVER LOW SIDE 8SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NCV5104DR2G.pdf
Tensione di alimentazione -

10 V ~ 20 V
Contenitore dispositivo fornitore

8-SOIC
Serie

Automotive, AEC-Q100
Tempo di salita / scadenza (Typ)

85ns, 35ns
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi

NCV5104DR2G-ND
NCV5104DR2GOSTR
temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)
Frequenza di ingresso

2
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

34 Weeks
Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.3V
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso

Non-Inverting
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap)

600V
Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET
Configurazione guidata

Half-Bridge
Descrizione dettagliata

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore)

250mA, 500mA
Base-Emitter Tensione di saturazione (max)

Synchronous

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