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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > NCV8440ASTT1G

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Immagine NCV8440ASTT1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NCV8440ASTT1G

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Specifiche

Modello di prodotti

NCV8440ASTT1G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT-223-4
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NCV8440ASTT1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id

1.9V @ 100µA
Vgs (Max)

±15V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-223
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

110 mOhm @ 2.6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

1.69W (Ta)
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

TO-261-4, TO-261AA
Altri nomi

NCV8440ASTT1GOSCT
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

13 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

155pF @ 35V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

3.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

59V
Descrizione dettagliata

N-Channel 59V 2.6A (Ta) 1.69W (Ta) Surface Mount SOT-223
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

2.6A (Ta)

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