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4668535Immagine NDB5060L.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NDB5060L

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NDB5060L
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NDB5060L.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D²PAK (TO-263AB)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    35 mOhm @ 13A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    68W (Tc)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Altri nomi
    NDB5060LDKR
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    42 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    840pF @ 30V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    24nC @ 5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 60V 26A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    26A (Tc)

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