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Immagine NDD03N40ZT4G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NDD03N40ZT4G

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Specifiche

Modello di prodotti

NDD03N40ZT4G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 400V 2.1A DPAK-3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NDD03N40ZT4G.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4.5V @ 50µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

DPAK
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

3.4 Ohm @ 600mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)

37W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

6.6nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

400V
Descrizione dettagliata

N-Channel 400V 2.1A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

2.1A (Tc)

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