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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > NDDL01N60Z-1G

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Immagine NDDL01N60Z-1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NDDL01N60Z-1G

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Specifiche

Modello di prodotti

NDDL01N60Z-1G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 600V 0.8A IPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NDDL01N60Z-1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4.5V @ 50µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

IPAK (TO-251)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

15 Ohm @ 400mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)

26W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

92pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

4.9nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

600V
Descrizione dettagliata

N-Channel 600V 800mA (Ta) 26W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

800mA (Ta)

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