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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > NDD60N900U1-35G

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Immagine NDD60N900U1-35G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NDD60N900U1-35G

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Specifiche

Modello di prodotti

NDD60N900U1-35G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NDD60N900U1-35G.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

I-PAK
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

900 mOhm @ 2.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

74W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

600V
Descrizione dettagliata

N-Channel 600V 5.7A (Tc) 74W (Tc) Through Hole I-PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

5.7A (Tc)

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