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Immagine NDS8961.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NDS8961

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Specifiche

Modello di prodotti

NDS8961
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NDS8961.pdf
Vgs (th) (max) a Id

3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore

8-SO
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

100 mOhm @ 3.1A, 10V
Potenza - Max

900mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET

Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.1A 900mW Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

3.1A

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