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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > NDTL03N150CG

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Immagine NDTL03N150CG.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NDTL03N150CG

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Specifiche

Modello di prodotti

NDTL03N150CG
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NDTL03N150CG.pdf
Vgs (th) (max) a Id

-
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-3P(L)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

10.5 Ohm @ 1.25A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 140W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-3PL
Altri nomi

NDTL03N150CGOS
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

7 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

1500V
Descrizione dettagliata

N-Channel 1500V 2.5A (Ta) 2.5W (Ta), 140W (Tc) Through Hole TO-3P(L)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A (Ta)

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