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3333912Immagine NGD8201NT4G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NGD8201NT4G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NGD8201NT4G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 440V 20A 125W DPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NGD8201NT4G.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    440V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    1.9V @ 4.5V, 20A
  • Condizione di test
    300V, 9A, 1 kOhm, 5V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    -/5µs
  • di scambio energetico
    -
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DPAK
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    125W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Altri nomi
    NGD8201NT4G-ND
    NGD8201NT4GOSTR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Logic
  • Tipo IGBT
    -
  • Descrizione dettagliata
    IGBT 440V 20A 125W Surface Mount DPAK
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    50A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    20A
  • Numero di parte base
    NGD8201N

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Pagamento
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Descrizione: IGBT 440V 20A 125W DPAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: IGBT 450V 18A DPAK

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