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4037555Immagine NGTB15N60S1EG.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NGTB15N60S1EG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NGTB15N60S1EG
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 600V 30A 117W TO220-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NGTB15N60S1EG.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    600V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    1.7V @ 15V, 15A
  • Condizione di test
    400V, 15A, 22 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    65ns/170ns
  • di scambio energetico
    550µJ (on), 350µJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    270ns
  • Potenza - Max
    117W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • Altri nomi
    NGTB15N60S1EG-ND
    NGTB15N60S1EGOS
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    27 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    NPT
  • carica gate
    88nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT NPT 600V 30A 117W Through Hole TO-220
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    120A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    30A

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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: IGBT 1200V 40A 192W TO247-3

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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