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4615619Immagine NGTB20N120IHLWG.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NGTB20N120IHLWG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NGTB20N120IHLWG
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 1200V 40A 192W TO247-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NGTB20N120IHLWG.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    1200V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.2V @ 15V, 20A
  • Condizione di test
    600V, 20A, 10 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    -/235ns
  • di scambio energetico
    700µJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    192W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • Altri nomi
    NGTB20N120IHLWGOS
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    -
  • carica gate
    200nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT 1200V 40A 192W Through Hole TO-247
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    200A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    40A

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Descrizione: IGBT 1200V 20A TO247

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Descrizione: IGBT 20A 1200V TO-247

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