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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-singolo > NGTB30N120IHRWG

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Immagine NGTB30N120IHRWG.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NGTB30N120IHRWG

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Specifiche

Modello di prodotti

NGTB30N120IHRWG
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

IGBT 1200V 60A 384W TO247
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NGTB30N120IHRWG.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic

2.5V @ 15V, 30A
Condizione di test

600V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C

-/230ns
di scambio energetico

700µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-247
Serie

-
Potenza - Max

384W
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-247-3
Altri nomi

NGTB30N120IHRWGOS
temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso

Standard
Tipo IGBT

Trench Field Stop
carica gate

225nC
Descrizione dettagliata

IGBT Trench Field Stop 1200V 60A 384W Through Hole TO-247
Corrente - collettore Pulsed (Icm)

120A
Corrente - collettore (Ic) (max)

60A

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