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NGTB75N65FL2WAG

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Specifiche

Modello di prodotti

NGTB75N65FL2WAG
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

IGBT FIELD STOP 650V TO247-4
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NGTB75N65FL2WAG.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

650V
Vce (on) (max) a VGE, Ic

2V @ 15V, 75A
Condizione di test

400V, 75A, 10 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C

23ns/157ns
di scambio energetico

610µJ (on), 1.2mJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-247-4L
Serie

-
Tempo di ripristino inverso (trr)

90ns
Potenza - Max

536W
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-247-4
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso

Standard
Tipo IGBT

Field Stop
carica gate

310nC
Descrizione dettagliata

IGBT Field Stop 650V 200A 536W Through Hole TO-247-4L
Corrente - collettore Pulsed (Icm)

200A
Corrente - collettore (Ic) (max)

200A

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