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NGTD28T65F2WP

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NGTD28T65F2WP
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NGTD28T65F2WP.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    650V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2V @ 15V, 75A
  • Condizione di test
    -
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    -
  • di scambio energetico
    -
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Die
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    Die
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Produttore tempi di consegna standard
    4 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    Trench Field Stop
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Trench Field Stop 650V Surface Mount Die
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    200A

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