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NGTD9R120F2WP

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NGTD9R120F2WP
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NGTD9R120F2WP.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    2.6V @ 15A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    1200V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Die
  • Velocità
    -
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    Die
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    175°C (Max)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Produttore tempi di consegna standard
    4 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 1200V Surface Mount Die
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    1µA @ 1200V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    -
  • Capacità a Vr, F
    -

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Spedizione
Pagamento
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: IGBT 1200V 25A TO-247

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

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Descrizione: IGBT 1200V 15A TO-247

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Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

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