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5358049Immagine NRVBM110ET1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NRVBM110ET1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NRVBM110ET1G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NRVBM110ET1G.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    595mV @ 2A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    10V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Powermite
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    POWERMITE®
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    DO-216AA
  • Altri nomi
    NRVBM110ET1GOSDKR
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    4 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Schottky
  • Descrizione dettagliata
    Diode Schottky 10V 1A Surface Mount Powermite
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    1µA @ 10V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    1A
  • Capacità a Vr, F
    -

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