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6016264Immagine NRVUB1620CTT4G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NRVUB1620CTT4G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NRVUB1620CTT4G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NRVUB1620CTT4G.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    975mV @ 8A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    200V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D2PAK-3
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    35ns
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Altri nomi
    NRVUB1620CTT4GOSCT
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    28 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Configurazione diodo
    1 Pair Common Anode
  • Descrizione dettagliata
    Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 200V 8A Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    5µA @ 200V
  • Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)
    8A

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Pagamento
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