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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > NSBA144TF3T5G

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Immagine NSBA144TF3T5G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSBA144TF3T5G

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Specifiche

Modello di prodotti

NSBA144TF3T5G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS PREBIAS PNP 254MW
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NSBA144TF3T5G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor

PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-1123
Serie

-
Resistor - Base (R1)

47 kOhms
Potenza - Max

254mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

SOT-1123
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

13 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 254mW Surface Mount SOT-1123
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max)

500nA
Corrente - collettore (Ic) (max)

100mA

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