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3505533Immagine NSS12501UW3T2G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSS12501UW3T2G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NSS12501UW3T2G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 12V 5A 3-WDFN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NSS12501UW3T2G.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    12V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    120mV @ 400mA, 4A
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    3-WDFN (2x2)
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    875mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    3-WDFN Exposed Pad
  • Altri nomi
    NSS12501UW3T2GOSTR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    8 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    150MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 12V 5A 150MHz 875mW Surface Mount 3-WDFN (2x2)
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    200 @ 2A, 2V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    5A
  • Numero di parte base
    NSS12501

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Descrizione: TRANS PNP 12V 2A SC-88

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