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4518152Immagine NSS1C301ET4G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSS1C301ET4G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NSS1C301ET4G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 100V 3A 3DPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NSS1C301ET4G.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    100V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    250mV @ 300mA, 3A
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DPAK
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    2.1W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Altri nomi
    NSS1C301ET4G-ND
    NSS1C301ET4GOSTR
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    4 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    120MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 120MHz 2.1W Surface Mount DPAK
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    120 @ 1A, 2V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    3A

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Pagamento
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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