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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > NSS20200LT1G

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Immagine NSS20200LT1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSS20200LT1G

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Specifiche

Modello di prodotti

NSS20200LT1G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS PNP 20V 2A SOT-23
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NSS20200LT1G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

20V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

180mV @ 200mA, 2A
Tipo transistor

PNP
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

-
Potenza - Max

460mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi

NSS20200LT1G-ND
NSS20200LT1GOSTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

18 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

100MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor PNP 20V 2A 100MHz 460mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

250 @ 500mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max)

100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

2A
Numero di parte base

NSS20200

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